亚洲精品第一区二区三区,免费看无码毛视频成片,色五月激情五月亚洲综合,超碰97人人做人人爱可以下载,国产乱人伦av在线a麻豆

當前位置：首頁 > 產(chǎn)品中心 > 硅基芯片 > 芯片

產(chǎn)品分類

Product Category

硅基芯片

芯片

查看全部

ZGSOI 納秒光開關芯片陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1949

SOI 納秒光開關芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
了解詳情
ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2151

9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子技術

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2064

9bit 可調光延時線芯片 SOI 硅光子技術集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG9bit 可調光延時線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1983

9bit 可調光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG單片集成 9bit 可調光延時線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1939

單片集成 9bit 可調光延時線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZGSOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：1867

SOI單片集成 9bit 可調光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZG硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2063

硅基單片集成 9bit 可調光時延線芯片片集成多比特光時延芯片基于厚膜 SOI 硅光子技術，是目前綜合性能和集成度最高的光時延器產(chǎn)品。采用二進制多級時延回路結構，芯片集成時延切換開關和包含了均衡和雜波抑制衰減器的延遲光波導回路，延時切換時間達到 200ns 以下，最大總時延量 1022ps；延時精度 0.5ps，片內單級延時損耗低至 0.8dB/bit
了解詳情
ZGSOI納秒光開關芯片陣列

更新時間：2025-05-10

型號：ZG

瀏覽量：2201

SOI納秒光開關芯片陣列該產(chǎn)品基于硅基載流子色散效應實現(xiàn)納秒級高速響應的光路切換，實現(xiàn)了多通道光開關陣列的單片化集成，芯片與多通道光纖和外圍驅動電路一體化光電封裝，熱電混調，數(shù)字化驅動，偏振相關性小，插入損耗低
了解詳情

共 27 條記錄，當前 1 / 4 頁首頁上一頁下一頁末頁跳轉到第頁