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單片集成 10bit 可調光延時器芯片高速切換

簡要描述：單片集成 10bit 可調光延時器芯片高速切換將硅基光開關和硅波導延時路單片集成的自主研發產品。集成的硅基光開關使其延時態切換速度達到 1 μs 以下，硅波導延時使其延時精度提升 1 個量級，厚膜 SOI 硅光技術使其光損耗達到工程應用水平，單片集成的芯片解決了傳統光延時器的體積大、可靠性差問題，是可全方面滿足光控相控陣應用要求的新一代產

產品型號：梓冠
廠商性質：生產廠家
更新時間：2025-05-10
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硅基芯片

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品牌	梓冠

SOI芯片光延時線

一、SOI芯片光延時線的定義
SOI芯片式低偏振相關損耗可調光延時線，該產品基于級聯的高速光開關和延時光路組成，實現大量程、高精度量化可調光延時線的片上集成，本產品通過創新設計實現了超低偏振相關性損耗，芯片尺寸小，集成度高，可提供裸片或光電一體化封裝產品方案。
二、SOI芯片光延時線的特點
多通道
高集成度芯片化
高速響應
三、SOI芯片光延時線的應用
光纖傳感
光纖通信
激光雷達

四、SOI芯片光延時線的性能指標

參數指標	單位	最小值	典型值	最大值
波長范圍	nm	1530nm-1570nm or 1270nm-1330nm
單級熱調功耗	mW			100
單級電調功耗	mW			10
光纖接入損耗	dB			12@9 bit
偏振相關損耗	dB			0.5
延時量精度	ps			30@2048 pS
延遲步進	ps	2
平坦度	dB	<0.5 dB@2048 pS
響應速率	Hz	>20kHz@熱調試模式，>10MHz@電調模式
最大延時量	ps	1024/2048 或可定制
延時量量化位數	bit	10或可定制
通道數		1或可定制
工作溫度范圍	℃	-20		50
工作濕度范圍	%			+65
芯片尺寸	mm	8.1(L)x2.3(W)x0.5(H)

五、SOI芯片光延時線的芯片尺寸

單片集成 10bit 可調光延時器芯片高速切換

六、四川梓冠光電SOI芯片光延時線訂貨信息

波長	類型	通道數
13=1310nm 15=1550nm	10-2048=10 bit，2048 ps XX=other	1=1CH，4=4CH，8=8CH，16=CH 48=48CH，XX=0ther

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